ＳｉＣ／ＳｉＣ的微波焊接

   　ＳｉＣ／ＳｉＣ的微波焊接

　　　　Ｒ.Ｓilberglitt等用單模和多模微波腔體焊接了直徑為0.952ｃｍ，高0.635ｃｍ的兩塊ＳｉＣ圓片，微波焊接溫度１４５０｀Ｃ，時間５ｍｉｎ一１０ｍｉｎ， 微波功率２５０Ｗ。所采用的方法有如下幾種：

        用Ｓｉ粉作為２塊ＳｉＣ圓片的粘接劑，經微波焊接后兩塊ＳｉＣ之間的界面層厚度為５０uｍ.

 　　　把Ｓｉ粉與油混合形成稀漿涂在ＳｉＣ圓片上，再用微波進行焊接，焊接界面層厚度為１０uｍ.

 　　　用等離子體技術噴涂一層Ｓｉ在其中一塊ＳｉＣ圓片上，然后把另一塊ＳｉＣ圓片放置在噴涂有Ｓｉ層的ＳｉＣ圓片上，用微波進行焊接，焊接后界面層的厚度不超過５uｍ.

 　　　用２０碳烯作為粘結劑，把一定比例的Ｓｉ，　Ｃ和Ｔｉ粉冷壓成高約ｌｍｍ的圓片，把該圓片放入２塊ＳｉＣ圓片之中，用微波進行焊接，發(fā)現(xiàn)界面層中出現(xiàn)了Ｔic、ＴiO2、Ti3O5和ＳｉＣ等物質。

 　　 上述的幾種方法中，焊接后接頭的努氏硬度值沒有較大的變化。